防爆红外灯的单芯片及多芯片LED分析

　　单芯片LED生产工艺简略，品质容易保障、发热量低、发光光学系统合理，是做防爆红外摄像机红外灯理想的器件，实际上应用寿命可达10万小时以上。所以天然在技术上就偏向单芯片了。但是单芯片的红外灯还是有很多制约的因素，如LED芯片级别很低，杂质超标；有的生产工艺不过关，有漏电景象；有的超功率应用，额定20mA，却应用50mA以上；有的没有维护电路，或电路设计不合理，这些都会招致单芯片LED红外灯快速坏掉。

　　要想保障红外灯的寿命，首先要选用高等级的LED芯片。高等级芯片功率大、一致性好、发光效率高、发热量很小，一颗高等级LED比普通LED的品质好10倍，当然价钱方面也更高。其次，光学系统设计要合理、发光要均匀、利用率要高、散热要快。第三，要严厉控制工作电压。LED对电压非常敏感，电压稍高LED管芯就会烧掉；而电压略低则发光量又会大大降低。zui好匹配高质量的开关电源，交流输入电压zui好从170-270v电压都能做到较好的稳压，以适宜顽劣的供电环境。第四，输入电源线zui好选用抗高/低温、超柔软抗曲折的。

　　防爆红外灯价格合理，然而多芯片LED也有两种情势，一种是蕴含4-8颗芯片；另外一种是阵列式发光片，含有10-30颗芯片。为什么做多芯片呢？潜在的实际是：红外灯照射间隔不够是因为能量不够，更多的芯片聚拢在一起，当然能量就大，这样的话通常照射间隔更远。这个假如能保障红外灯的光芒的接收率，是对的，但是在接收率不能保障的前提下，再多的红外灯芯片只会造成运行温渡过高而影响寿命，并不能真正改良红外灯照射的间隔。总体来说，多芯片的红外摄像机在性能方面还是因为普通的卤素灯，但是多芯片LED因其结构上的固有缺陷没有发光焦点，发光光学系统不合理，有用光效率也对照低。多芯片LED的生产要求非常严厉，每颗芯片都不能有性能上的一点差别，否则一颗芯片坏掉的话伤害的是整体芯片LED的整体。总体而言，应用在防爆红外摄像机上面，现有的多芯片技术LED的寿命是远远不够的。