隔爆型红外灯有三种制作情势：卤素灯、多芯片LED以及单芯片LED。其中：卤素灯能耗高，发热量大，是传统市场上应用的红外灯，应用寿命较短，所以很难适宜防爆摄像机配套应用。
多芯片LED也有两种情势，一种是蕴含4到8颗芯片;另外一种是阵列式发光片，含有10到30颗芯片。红外灯照射间隔不够是因为能量不够，更多的芯片聚拢在一起，当然能量就大，这样的话通常照射间隔更远。这个假如能保障红外灯的光芒的接收率，但是在接收率不能保障的前提下，再多的红外灯芯片只会造成运行温渡过高而影响寿命，并不能真正改良红外灯照射的间隔。
单芯片LED生产工艺简略，品质容易保障、发热量低、发光光学系统合理，是做隔爆型红外灯理想的器件，实际上应用寿命可达10万小时以上。所以天然在技术上就偏向单芯片了。但是单芯片的红外灯还是有很多制约的因素，像有的LED芯片级别很低，杂质超标;有的生产工艺不过关，有漏电现象;有的超功率应用;有的没有维护电路，或电路设计不合理，这些都会招致单芯片LED红外灯快速坏掉。
要想保障隔爆型红外灯的寿命，首先要选用高等级的LED芯片。高等级芯片功率大、一致性好、发光效率高、发热量很小，一颗高等级LED比普通LED的品质好10倍，当然价钱方面也更高。其次光学系统设计要合理、发光要均匀、利用率要高、散热要快。第三，要严格控制工作电压。LED对电压非常敏感，电压稍高LED管芯就会烧掉;而电压略低则发光量又会大大降低。匹配高质量的开关电源，交流输入电压从170伏到270伏电压都能做到较好的稳压，以适宜顽劣的供电环境。第四，输入电源线选用抗高/低温、超柔软抗曲折的。
